我國集成電路產(chǎn)業(yè)：前景光明 挑戰(zhàn)艱巨(中）

二是產(chǎn)業(yè)規(guī)模、國際市場份額、技術(shù)水平等方面都有了巨大提高。企業(yè)數(shù)量與規(guī)模、行業(yè)總規(guī)模與從業(yè)人員數(shù)量、產(chǎn)銷規(guī)模等快速增長。集成電路產(chǎn)業(yè)銷售總額從2000年的186.2億元增長到2011年的1572.2億元，增長了8.4倍;在國際市場的份額從2000年1.2%上升到了2011年的8.7%。特別是集成電路設(shè)計業(yè)發(fā)展成就最為突出，銷售額由2000年的11億元增長到了2011年的473.74億元，增長了43倍，單個芯片的設(shè)計水平從2000年每個芯片內(nèi)含250萬門級、2500萬個左右晶體管數(shù)量提高到了目前的近億門級、內(nèi)含數(shù)億個晶體管數(shù)量的新水平。2000年初以來，新建成了20多條8英寸到12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線，吸引國內(nèi)外半導(dǎo)體公司前來投資建廠，為集成電路人才的培養(yǎng)和成長提供全方位、多層次的發(fā)展支撐。以中芯國際為代表的一批芯片制造企業(yè)相繼發(fā)展起來并成功上市，芯片制造生產(chǎn)線的技術(shù)水平也從2000年初的8英寸、0.25微米提高到了目前的12英寸、45納米新水平，并正在向12英寸32納米和22納米以下技術(shù)階段邁進(jìn)。

三是取得了一大批創(chuàng)新和應(yīng)用成果，為國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展作出了巨大貢獻(xiàn)。新成果覆蓋集成電路設(shè)計、芯片制造、封裝、半導(dǎo)體專用設(shè)備、儀器、關(guān)鍵原材料和眾多的集成電路應(yīng)用領(lǐng)域，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各個領(lǐng)域都有不俗的高水平創(chuàng)新成就涌現(xiàn)，不僅有二代身份證芯片、3G手機(jī)核心芯片、數(shù)字高清電視芯片等高技術(shù)產(chǎn)品，也有國產(chǎn)CPU及其在北斗導(dǎo)航衛(wèi)星、千萬億次計算機(jī)、高性能網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器和新一代通信設(shè)備等中的應(yīng)用;在集成電路制造所需要的關(guān)鍵設(shè)備和關(guān)鍵材料方面，如12英寸65納米步進(jìn)光刻機(jī)、高密度等離子體多晶硅刻蝕機(jī)、大角度傾斜大劑量離子注入機(jī)、12英寸硅拋光片、8英寸及12英寸硅外延片、鍺硅外延片、SOI材料、寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料、248納米和193納米光刻膠等方面也相繼獲得一大批高水平成果，這些成果直接應(yīng)用在集成電路生產(chǎn)線上。這些成就增強(qiáng)了全產(chǎn)業(yè)的發(fā)展信心，激發(fā)了行業(yè)的創(chuàng)新活力，營造出前面所提到的全國范圍內(nèi)空前的發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的氛圍，對國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展做出了卓越貢獻(xiàn)。

另外，在探索集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律和促進(jìn)產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展方面，獲得了多方面的巨大進(jìn)步。在國際合作與往來、投融資環(huán)境建設(shè)與投資總額、吸引留學(xué)人員回國創(chuàng)業(yè)、集成電路產(chǎn)業(yè)研發(fā)項目確立和科技管理方式改進(jìn)、政府支持集成電路發(fā)展的決策體制和機(jī)制等方面，都比十多年前有了重大進(jìn)步與提高。